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以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带（暨第三代）半导体材料已经开始在射频和功率领域挑战硅（Si）材料的统治地位，而“更快、更酷、更强悍”则是第三代半导体器件展现出的最 [更多]

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