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IPAC碳化硅直播季 | 如何应用CoolSiC™ MOSFET设计高能效系统？

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唯样商城 2025-07-02

*ST华微涨1.54%，成交额1.30亿元，近3日主力净流入-4704.04万

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新浪财经 2025-07-02

杭州功率半导体冲刺港交所！小米宁德时代都投了，三年收入49亿

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芯东西 2025-07-02

自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功！

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林子说事 2025-07-02

天狼芯半导体取得新型屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法、芯片专利

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金融界 2025-07-01

西安交大等取得使用辅助绕组产生负压驱动SIC MOSFET系统专利

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金融界 2025-07-01

瞻芯电子取得沟槽栅功率MOSFET结构及制造方法专利

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金融界 2025-07-01

东微半导跌0.32%，成交额7820.14万元，后市是否有机会？

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新浪财经 2025-07-01

*ST华微跌1.77%，成交额2.22亿元，后市是否有机会？

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新浪财经 2025-07-01

谱析光晶取得具有浅 P+结构的 SiC MOSFET 器件及其制备工艺专利

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金融界 2025-07-01

GaN、SiC第三代功率半导体持续渗透，多家企业推出新品demo

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充电头网 2025-07-01

浙江禾芯取得垂直型MOSFET芯片封装结构封装方法专利

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金融界 2025-07-01

高质量发展看中国 | 探访智能工厂：破译“研产贯通”的创新密码

新闻
#title_desc 2025-06-30

BSS138LT1G N 沟道增强型功率 MOSFET采购指南

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拍明芯城 2025-06-30

上海贝岭申请沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备专利，实现同时减小漏源电容Cgd和漏源电容Cds

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金融界 2025-06-28

博硕科技取得检测同步整流两端电压输入高低压采样电路专利，实现通过检测次级MOSFET峰值来区别高、低压输入检测

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金融界 2025-06-28

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

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电子设计圈 2025-06-27

安世 | 碳化硅MOSFET：提升安全、稳健且可靠的电源开关性能

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唯样商城 2025-06-26

*ST华微涨停，成交额3.59亿元，近3日主力净流入-4320.90万

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新浪财经 2025-06-26

三安光电：湖南三安主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ

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金融界 2025-06-25

东微半导涨1.41%，成交额7828.31万元，近5日主力净流入-356.11万

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新浪财经 2025-06-25

湖南虹安微电子取得沟槽型MOSFET晶圆的掩模版专利，降低晶圆在加工过程中的内应力

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金融界 2025-06-25

满足数据中心高可靠性需求，AOS推出25V MOSFET

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充电头网 2025-06-25

通用电气可再生能源西班牙取得具有带有碳化硅MOSFET的逆变器块的功率转换器的控制方法专利

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金融界 2025-06-25

万国半导体创新行推出采用源极朝下封装技术的25V MOSFET

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充电头网 2025-06-24

富满微涨3.30%，成交额2.13亿元，后市是否有机会？

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新浪财经 2025-06-24

东微半导涨2.32%，成交额5664.93万元，今日主力净流入19.27万

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新浪财经 2025-06-23

ABB申请中压变速组件专利，使DC链路的标称电压对于IGBT、MOSFET或类似组件而言足够低

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金融界 2025-06-23

真茂佳半导体申请沟槽型碳化硅MOSFET器件及构造方法专利，最大限度地分散和降低栅极氧化层在高压下承受的峰值电场强度

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金融界 2025-06-23

蜂巢能源取得配电盒和具有其的电池包专利，使配电盒在进行电路的通断时可以具有更好的电气安全性能

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广东玖田取得一种整流器及其Mosfet功率装置专利，能够保证均流效果

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上海鼎阳通取得平面型SiC MOSFET器件专利

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安徽芯塔电子取得主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件专利

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南通尚阳通取得SGT MOSFET器件及制造方法专利

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吉时利数字源表2450如何实现MOSFET栅极漏电流的超低噪声测量

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西安安泰测试Agitek 2025-06-20

合肥晶合申请获取 MOSFET 栅极功函数方法及系统专利，有效提升获取的 MOSFET 栅极功函数的准确度

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谱析光晶取得提高双沟槽MOSFET元胞密度工艺专利

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英飞凌为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆

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轨道科技 2025-06-19

东微半导涨0.29%，成交额3987.35万元，后市是否有机会？

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ROHM新品 | 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

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海威华芯取得平面型氧化镓MOSFET器件专利 提升器件栅、漏崩溃电压

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重庆万国半导体申请低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法专利，使低开启电压的短沟道MOSFET器件进行量产成为可能

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金融界 2025-06-18

广芯微电子取得碳化硅高压MOSFET优化方法及系统专利

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金融界 2025-06-17

南京邮电大学等取得基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路专利

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金融界 2025-06-17

虹安微电子申请超高压MOSFET终端结构及其制备方法专利 使终端结构更短成本更少

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金融界 2025-06-17

广芯微电子取得面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法专利

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金融界 2025-06-17

五位行业大咖带来精彩演讲，2025世界碳化硅大会直播回顾

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新浪财经 2025-06-17

2025世界碳化硅大会圆满落幕，五位行业大咖发表精彩演讲

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