网易首页
应用
网易新闻
网易公开课
网易红彩
网易严选
邮箱大师
网易云课堂
快速导航
新闻
国内
国际
王三三
体育
NBA
CBA
综合
中超
国际足球
英超
西甲
意甲
娱乐
明星
电影
电视
音乐
封面故事
财经
股票
原创
智库
汽车
购车
车型库
科技
网易智能
原创
IT
互联网
通信
时尚
艺术
旅游
手机
/
数码
惊奇科技
易评机
家电
房产
/
家居
北京房产
上海房产
广州房产
楼盘库
设计师库
案例库
教育
留学
高考
查看网易地图
登录
注册免费邮箱
注册VIP邮箱(特权邮箱,付费)
免费下载网易官方手机邮箱应用
安全退出
移动端
网易公开课
TED
中国大学视频公开课
国际名校公开课
赏课·纪录片
付费精品课程
北京大学公开课
英语课程学习
网易严选
新人特价
9.9专区
新品热卖
人气好物
居家生活
服饰鞋包
母婴亲子
美食酒水
支付
一卡通充值
一卡通购买
我的网易支付
网易跨境支付
邮箱
免费邮箱
VIP邮箱
企业邮箱
免费注册
客户端下载
gan
相关内容
苏州纳维申请基于GaN同质衬底的Micro-LED器件专利,达到大幅提升该器件出光准直性的效果
网易号
金融界 2026-02-28
苏州纳维申请GaN同质衬底倒装Micro-LED单元设计方法专利,显著提高光束准直和出光效率
网易号
金融界 2026-02-28
兆元光电取得提升LED芯片反向电压的GaN基外延层生长方法专利
网易号
金融界 2026-02-27
中图半导体申请适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法专利,提高外延中GaN质量
网易号
金融界 2026-02-27
GAN美颜SDK与传统美颜SDK的区别?
网易号
美摄科技 2026-02-27
中科无线半导体取得Micro LED的GaN集成器件及其制备方法专利
网易号
金融界 2026-02-25
中科无线半导体取得GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件专利
网易号
金融界 2026-02-24
中科无线半导体申请GaN HEMT单片集成互补型反相器专利,实现了高速、低功耗的单片集成互补逻辑
网易号
金融界 2026-02-17
桂林电子科技大学申请基于FPGA与GaN器件的可调谐DBR激光器驱动系统专利,实现高精度温度控制
网易号
金融界 2026-02-17
GaN大厂,新动态
网易号
半导体行业观察 2026-02-16
台积电改写GaN格局
网易号
半导体行业观察 2026-02-15
从应诉到反击 英诺赛科构筑GaN专利竞争新防线
网易号
爱集微 2026-02-14
中科无线半导体申请机器人关节GaN阵列系统芯片结构专利,提高栅控稳定性和耐压能力
网易号
金融界 2026-02-11
远山新材料取得双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件专利
网易号
金融界 2026-02-11
Navitas纳微推出10kW全GaN DC-DC电源平台,转换效率高达98.5%
网易号
金融界 2026-02-10
Navitas纳微推出10kW全GaN DC-DC电源平台,效率高达98.5%
网易号
新浪财经 2026-02-10
Navitas纳微推出10kW全GaN DC-DC电源平台,效率高达98.5%
网易号
IT之家 2026-02-10
开得联智能申请基于LivePortrait-GAN视频技术的录像压缩方法及系统专利,满足国产化可控的部署要求
网易号
金融界 2026-02-09
港股异动 | 英诺赛科(02577)涨超7% 公司GaN芯片导入谷歌AI硬件供应链 器件电源转...
网易号
新浪财经 2026-02-09
港股异动 | 英诺赛科(02577)涨超7% 公司GaN芯片导入谷歌AI硬件供应链 器件电源转化效率优势显著
网易号
智通财经 2026-02-09
苏州明义微电子申请GaN芯片多栅极分布式驱动结构专利,显著提高芯片开关速度
网易号
金融界 2026-02-06
联晶通半导体申请GaN器件热点定位与结温定量测量方法专利,提高了结温测量准确性
网易号
金融界 2026-02-06
南昌大学与南昌硅基半导体科技取得Si衬底GaN外延薄膜生长方法专利
网易号
金融界 2026-02-06
华为申请具有屏蔽层的半导体功率器件专利,屏蔽功率器件免受衬底电势影响
网易号
金融界 2026-02-05
马瑞利申请基于GaN合封技术的LED驱动器系统和汽车车灯专利,实现了高集成度、高效率与小体积的设计目标
网易号
金融界 2026-02-05
SiC/GaN功率器件热测试难点解析,5个实用技巧帮你避坑
网易号
鲁欧智造 2026-02-04
深圳争妍微电子申请GaN射频器件及其制备方法专利,器件的高频输出功率、热稳定性及使用寿命均得到大幅提升
网易号
金融界 2026-02-04
润新微电子取得共源共栅GaN器件及其制备方法专利
网易号
金融界 2026-02-03
新微半导体申请基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法专利,能够降低栅极漏电
网易号
金融界 2026-01-31
华为申请具有定位标记的GaN器件专利,实现缺陷或热点的精确位置的快速识别和定位
网易号
金融界 2026-01-31
河北省交通规划设计研究院取得基于GAN的去除图像运动模糊专利
网易号
金融界 2026-01-31
广西电网申请基于CVAE-GAN的电力系统高风险运行场景生成方法专利,可生成不同高风险的运行场景
网易号
金融界 2026-01-31
台积电氮化镓技术,再次对外授权
网易号
半导体行业观察 2026-01-29
深圳董芯电子申请基于GaN的高能量密度锂电池组BMS健康分析系统专利,解决现有技术无法准确判断电池是否异常的问题
网易号
金融界 2026-01-28
台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓(GaN)制程技术
网易号
金融界 2026-01-28
台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓(GaN)制程技术
网易号
IT之家 2026-01-28
无锡芯怀科技申请GaN器件AC仿真方法专利,提升仿真精度与效率
网易号
金融界 2026-01-23
上海海达通信申请基于GAN的水下图像实时修复与目标识别专利,能够有效提升水下图像质量及目标识别精度
网易号
金融界 2026-01-22
上海鸿劢电子申请GaN集成功率器件专利,减少了元件之间的相互影响
网易号
金融界 2026-01-21
谱析光晶申请具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件专利,实现了极高的电流密度与功率密度
网易号
金融界 2026-01-20
京蓝微纳申请基于图案化GaN和石墨烯异质结超表面调制器专利,实现显著相位调制
网易号
金融界 2026-01-17
金溢科技取得GaN功放静态参数自动调节专利,能实现精准自动调节
网易号
金融界 2026-01-16
兆元光电取得高光效GaN基白光外延结构及其制备方法专利
网易号
金融界 2026-01-16
中科无线申请单片集成GaN Cascode器件专利,提升开关速度和功率密度
网易号
金融界 2026-01-15
香港科技大学陈敬教授团队IEDM发布p-GaN栅双沟道氮化镓功率集成平台 - 用于免受衬底串扰...
网易号
新浪财经 2026-01-13
深圳镓楠半导体申请氮化镓双向器件专利,降低GaN器件制造成本
网易号
金融界 2026-01-13
中科世通亨奇申请基于GAN和模板自动构建的三元组抽取方法专利,能够显著提高实体关系抽取的整体性能和效果
网易号
金融界 2026-01-13
太原理工大学建筑设计研究院申请CsCu2I3/多孔GaN异质结专利,能提高载流子的分离与传输效率
网易号
金融界 2026-01-12
深圳争妍微电子申请一种GaN功率器件专利,有利于提高器件的可靠性
网易号
金融界 2026-01-08
谁在推动氮化镓落地?一份研究机构价值清单供您参考
网易号
充电头网 2026-01-07
没有更多内容了
热点新闻
热点图集
©
1997-2026 网易公司版权所有
About NetEase
|
公司简介
|
联系方法
|
招聘信息
|
客户服务
|
隐私政策
|
不良信息举报 Complaint Center
|
廉正举报
|
侵权投诉
无障碍浏览
进入关怀版