以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带（暨第三代）半导体材料已经开始在射频和功率领域挑战硅（Si）材料的统治地位，而“更快、更酷、更强悍”则是第三代半导体器件展现出的最独特优势。
在CITE2020线上系列直播活动——2020年第三代宽禁带半导体产业发展在线技术论坛上，上海瞻芯电子科技有限公司创始人兼总经理张永熙博士以“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半导体的机遇和挑战”为题，仅用40多分钟就为八百多位在线听众总结并分享了第三代半导体的所有关键知识点。
张永熙博士于2017年7月创办了上海瞻芯电子，公司专注于碳化硅功率器件芯片和驱动芯片的产业化。2000年张博士从复旦大学硕士毕业后，加入上海贝岭。而后，2003年到2008年在美国新泽西州立大学（Rutgers University）获得博士学位，研发了世界上第一款碳化硅功率集成电路。2008年到2017年就职于美国德州仪器（TI）模拟技术研发部，并在2016年年底入选仅占公司工程师总数6%的Senior Member Technical Staff（高级主任工程师）。张博士先后发表论文18篇，获得美国发明专利16项、中国发明专利4项。
就是这样一位长期专注于第三代半导体研究的行业大咖，他不仅从理论上详细讲解了第三代半导体（GaN和SiC）材料的特性，还从工艺、器件、应用等几个方面，深度剖析了GaN和SiC在功率半导体领域等应用中存在的机遇和挑战。
对于第三代半导体产业的发展前景，张永熙博士提出了四点主张：一是GaN on Si/Sapphire在快充市场的应用开始快速增长，但可靠性数据的积累以及相关机理研究需要进一步深入；二是600V应用将会持续出现多种技术同台竞技的业态，比如Si VDMOS、SJ MOS、IGBT、GaN FET、SiC MOSFET等；三是SiC将在高压、大功率应用领域充分发挥独特的性能优势，其中，超高压（3300V）开始商业化；四是GaN FET和SiC MOSFET的合格率、可制造性、可靠性以及与市场和产业链的融合将成为产品的核心竞争力。
本文来源：网易北京
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